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基于驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步的串聯(lián)IGBT動(dòng)態(tài)均壓電路設(shè)計(jì)
更新時(shí)間:2018-01-07   點(diǎn)擊次數(shù):4417次

基于驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步的串聯(lián)IGBT動(dòng)態(tài)均壓電路設(shè)計(jì)

 絕緣柵雙晶體管IGBT( Insulated Gate Bipolar Transistor)綜合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn),具有通流能力強(qiáng)、開關(guān)速度快、輸入阻抗、熱穩(wěn)定好和驅(qū)動(dòng)簡單的優(yōu)點(diǎn),作為半導(dǎo)體電力開關(guān)具有明顯的優(yōu)勢。目前,IGBT的耐壓等達(dá)到幾十千伏,但因其價(jià)格昂貴,了單個(gè)IGBT在大功率電壓場合的應(yīng)用。文獻(xiàn)將耐壓等低的多個(gè)IGBT串聯(lián)使用,不提了功率變換器的電壓等,降低了成本,而且減小了開關(guān)損耗。
  然而,在IGBT串聯(lián)使用中存在的主要問題是驅(qū)動(dòng)信號(hào)不同步引起串入的IGBT集射電壓不均衡問題,嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成某個(gè)器件上出現(xiàn)過電壓而損壞。為了IGBT在開關(guān)狀態(tài)改變的瞬態(tài)和其進(jìn)入穩(wěn)定工作狀態(tài)后合理的電壓均衡,學(xué)者提出大量的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電壓均衡措施。靜態(tài)電壓均衡可以通過每個(gè)器件兩端并聯(lián)個(gè)均壓電阻來實(shí)現(xiàn)。而動(dòng)態(tài)電壓均衡是IGBT串聯(lián)均壓研究的難點(diǎn)。為此,外提出了很多動(dòng)態(tài)均壓電路: 無源緩沖電路、端電壓鉗位電路、柵電壓、柵電流和柵驅(qū)動(dòng)信號(hào)延時(shí)調(diào)整。
  使用同步變壓器將驅(qū)動(dòng)同步的方法具有良好的均壓效果,并且沒有影響IGBT的。但由于同步變壓器的設(shè)計(jì)的局限,很難使得驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步,出現(xiàn)了的電壓不均衡現(xiàn)象,隨著器件承受電壓的增加,電壓不均衡加劇,嚴(yán)重時(shí)同樣會(huì)造成器件因過電壓而損壞。因此,文本結(jié)合同步變壓器均壓電路和端電壓鉗位均壓電路的優(yōu)點(diǎn),提出種基于驅(qū)動(dòng)信號(hào)
同步的動(dòng)態(tài)均壓電路,并基于該方法進(jìn)行了仿真研究。
 
  1. 串聯(lián)IGBT的動(dòng)態(tài)均壓
  1.1 基于驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步的均壓電路工作原理
  為了實(shí)現(xiàn)串聯(lián)IGBT動(dòng)態(tài)均壓,引入圖1 所示的同步變壓器,將驅(qū)動(dòng)信號(hào)相互耦合在個(gè)磁芯上實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)同步。圖中T是同步變壓器,兩個(gè)繞組變比為1:1,這個(gè)變壓器連接在驅(qū)動(dòng)單元GDU1、GDU2和Q1、Q2之間,將兩路驅(qū)動(dòng)信號(hào)耦合。

圖1 基于驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步的串聯(lián)IGBT均壓電路 

圖1 基于驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步的串聯(lián)IGBT均壓電路

 
  假設(shè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)GDU1要快于GDU2,用ΔT 表示驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間的時(shí)間差。開通時(shí),若無均壓電路,Q1先于Q2開通,則在ΔT 時(shí)間內(nèi),Q2仍然處于關(guān)斷狀態(tài),電源電壓VDC加在Q2上,出現(xiàn)電壓不均衡現(xiàn)象。關(guān)斷時(shí),Q1先關(guān)斷,電源電壓VDC加在Q1上,出現(xiàn)電壓不均衡現(xiàn)象。
  引入同步變壓器后,Q1導(dǎo)通時(shí),同步變壓器次側(cè)感應(yīng)出電壓VT1,由于磁耦合作用,則在另次也產(chǎn)生相應(yīng)的感應(yīng)電壓VT2,這就相當(dāng)于GDU1同時(shí)向兩個(gè)IGBT發(fā)送驅(qū)動(dòng)信號(hào),從而使兩個(gè)IGBT開關(guān)動(dòng)作致。Q1關(guān)斷時(shí),同理可知。
  然而,由于IGBT柵射間電容的非線,設(shè)計(jì)出耦合驅(qū)動(dòng)信號(hào)的同步變壓器十分困難,這樣勢必會(huì)影響均壓效果。器件在關(guān)斷前不受靜態(tài)均壓電阻的影響,因此關(guān)斷瞬態(tài)的電壓不均比開通瞬態(tài)的電壓不均明顯。為了防止關(guān)斷瞬間二次電壓不均引起的過電壓,引入圖1所示的由快恢復(fù)二管和齊納二管組成的端電壓鉗位電路。快恢復(fù)二管了電流單向流動(dòng),齊納二管決定了鉗位的啟動(dòng)閾值。當(dāng)器件集射電壓過齊納二管的閾值,反饋電流流過快恢復(fù)二管和齊納二管,注入柵,使得集射電壓被鉗位于某閾值。可以說,端電壓鉗位電路改善了同步變壓器的均壓效果,增加了串聯(lián)IGBT的。
 
  1.2 同步變壓器的設(shè)計(jì)
  為了達(dá)到良好的動(dòng)態(tài)均壓效果,同步變壓器中激磁電感和漏感的選擇十分重要。Q1導(dǎo)通而Q2關(guān)斷的ΔTon時(shí)間內(nèi),圖1的等效電路如圖2所示。

圖2 等效電路圖 
Lm——同步變壓器激磁電感;
Ls1、Ls2——同步變壓器漏感;
im——激磁電感上流過的電流;
ig——驅(qū)動(dòng)電源輸出電流;
Rg——柵電阻;
Cies1、Cies2——柵射輸入電容( Q1、Q2) ;
VF、VR——驅(qū)動(dòng)電壓(正偏壓、負(fù)偏壓) 。
圖2 等效電路圖

 
  (1) 激磁電感Lm的計(jì)算
  ig+ im和ig分別向柵射輸入電容Cies1和Cies2充電。假設(shè)Cies1和Cies2都與Cies相等,則Q1、Q2驅(qū)動(dòng)電壓Vg1、Vg2之間的電壓差ΔVg,即是im在ΔTon時(shí)間內(nèi)造成柵射輸入電容Cies1和Cies2之間的電壓差:

算式1及算式2 

  其中,ΔQm是在ΔTon時(shí)間內(nèi)向Cies1充電的電荷量,imp是im的zui大值,VT1是同步變壓器次側(cè)的感應(yīng)電壓。
                   算式3~6
  在時(shí)間ΔTon內(nèi),VT≈V,V為驅(qū)動(dòng)電源電壓。假定ΔVg≤V/100,得同步變壓器激磁電感Lm的設(shè)計(jì)指標(biāo)為:

算式7 

 
  (2) 漏感Ls的計(jì)算
在ΔTon時(shí)間之后,Q2驅(qū)動(dòng)信號(hào)由VR翻轉(zhuǎn)為VF,這時(shí)Q1、Q2都導(dǎo)通,柵射間輸入電容Cies1、Cies2上的電壓分別由其驅(qū)動(dòng)電路的電流ig1、ig2決定,驅(qū)動(dòng)電路對(duì)稱,ig1= ig2,VT1=VT2= 0。漏感Ls1、Ls2為驅(qū)動(dòng)線路的寄生電感,由于等效電路呈容,會(huì)引起電路振蕩,為防止IGBT柵射出現(xiàn)過電壓而擊穿,要求驅(qū)動(dòng)電路的品質(zhì)因數(shù):

算式8~10 


  2. 仿真驗(yàn)證
  為驗(yàn)證上述均壓電路的,利用Saber仿真軟件建立IGBT串聯(lián)動(dòng)態(tài)均壓的仿真電路。本仿真中采用2個(gè)IGBT的型號(hào)為IRG4BC30K,其zui大集射間電壓Vces為600V,輸入電容Cies為920 pF。柵驅(qū)動(dòng)電阻Rg為50Ω; 均壓電阻R1、R2為240kΩ; 兩路驅(qū)動(dòng)信號(hào)頻率fs為10 kHz; 占空比D為0.4; 輸出電流Iout為10 A。假設(shè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)GDU1、GDU2相差200ns; 由式(7)、(10)選擇同步變壓器激磁電感Lm為2200μH,漏感Ls1、Ls2為1μH。
  下面具體仿真分析以下4種情況下,Q1、Q2開通與關(guān)斷的動(dòng)態(tài)均壓情況。
  ( 1) 電源電壓600V,無動(dòng)態(tài)均壓電路情況
  圖3 為GDU1比GDU2延遲200ns 開通時(shí),Q1、Q2的驅(qū)動(dòng)電流和開通瞬間的波形。圖3可知,Q1先于Q2開通200 ns,先開通的Q1集射電壓Vce1迅速由額定電壓下降為飽和壓降,此時(shí)Q2還處于關(guān)斷狀態(tài),Q2集射電壓Vce2迅速由額定電壓上升為電源電壓,易造成Q2因過電壓而損壞。

圖3 無均壓電路時(shí)Q1、Q2的開通驅(qū)動(dòng)電流和集射電壓 

圖3 無均壓電路時(shí)Q1、Q2的開通驅(qū)動(dòng)電流和集射電壓 

 
  圖4為GDU1比GDU2延遲200ns 關(guān)斷時(shí),Q1、Q2的驅(qū)動(dòng)電流和關(guān)斷瞬間的波形。由圖4可知,Q1先于Q2關(guān)斷200ns,先關(guān)斷的Q1集射電壓Vce1迅速由飽和壓降上升為電源電壓,易造成Q1因過電壓而損壞。

圖4 無均壓電路時(shí)Q1、Q2的關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電流和集射電壓 

圖4 無均壓電路時(shí)Q1、Q2的關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電流和集射電壓

 
  (2)電源電壓600V,帶同步變壓器的動(dòng)態(tài)均壓電路情況
  圖5 為GDU2比GDU1延遲200ns 開通時(shí),Q1、Q2的驅(qū)動(dòng)電流和開通瞬間的波形。加入同步變壓器后,雖然GDU2比GDU1延遲200ns 開通,但由圖5可知,同步變壓器將Q1、Q2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)耦合在起,使ig1、ig2保持同步,從而Q1、Q2在開通瞬間電壓均衡,使器件處于工作區(qū)。

圖5 帶同步變壓器時(shí)Q1、Q2的開通驅(qū)動(dòng)電流和集射電壓 

圖5 帶同步變壓器時(shí)Q1、Q2的開通驅(qū)動(dòng)電流和集射電壓

 
  圖6 為GDU2比GDU1延遲200 ns 關(guān)斷時(shí),Q1、Q2的驅(qū)動(dòng)電流和關(guān)斷瞬間的波形。加入同步變壓器后,雖然GDU2比GDU1延遲200 ns 關(guān)斷,但由圖6可知,同步變壓器將Q1、Q2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)耦合在起,使ig1、ig2保持同步。由于IGBT柵射間電容的非線,同步變壓器保持驅(qū)動(dòng)信號(hào)的同步卻很困難。特別是在關(guān)斷瞬間,Q1、Q2在關(guān)斷瞬間出現(xiàn)輕微的電壓不均衡,其集射電壓Vce1為330V,zui大集射電壓為靜態(tài)均壓值的10 %,此時(shí)器件仍處于工作區(qū)。

圖6 帶同步變壓器時(shí)Q1、Q2的關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電流和集射電壓 

圖6 帶同步變壓器時(shí)Q1、Q2的關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電流和集射電壓

 
  (3)電源電壓800V,帶同步變壓器的動(dòng)態(tài)均壓電路情況
  圖7為GDU2比GDU1延遲200 ns 開通和關(guān)斷時(shí),Q1、Q2的驅(qū)動(dòng)電流和開關(guān)瞬間的波形。由圖7可知,同步變壓器將Q1、Q2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)耦合在起,使ig1、ig2保持同步,達(dá)到的均壓效果。但隨著器件所承受電壓的增大,在電源電壓為800V 情況下,輕微的驅(qū)動(dòng)信號(hào)不同步卻使Q1在關(guān)斷瞬間,其集射電壓Vce1600V,zui大集射電壓為靜態(tài)均壓值的5,此時(shí)則很難器件處于工作區(qū)。

圖7 帶同步變壓器時(shí)Q1、Q2的開關(guān)瞬態(tài)的驅(qū)動(dòng)電流和集射電壓 

圖7 帶同步變壓器時(shí)Q1、Q2的開關(guān)瞬態(tài)的驅(qū)動(dòng)電流和集射電壓

 
  (4)電源電壓800V,鉗位電壓440V,帶同步變壓器和端電壓鉗位動(dòng)態(tài)均壓電路情況
  圖8為GDU2比GDU1延遲200ns開通和關(guān)斷時(shí),Q1、Q2的驅(qū)動(dòng)電流和開關(guān)瞬間的波形。由圖8可知,同步變壓器將Q1、Q2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)耦合在起,使ig1、ig2保持同步。在關(guān)斷瞬間,驅(qū)動(dòng)電流ig1突然升并降低,這是由于此時(shí)Q1集射電壓過齊納二管的閾值,反饋電流流過快恢復(fù)二管和齊納二管,注入柵,使得集射電壓被鉗位于440V,zui大集射電壓為靜態(tài)均壓值的1,使得Q1、Q2處于工作區(qū)。

圖8 帶同步變壓器時(shí)和端電壓鉗位電路時(shí)Q1、Q2 

圖8 帶同步變壓器時(shí)和端電壓鉗位電路時(shí)Q1、Q2

 
  3. 結(jié)束語
  本文在研究和分析外IGBT串聯(lián)動(dòng)態(tài)均壓的基礎(chǔ)上,采用將驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步和端電壓鉗位結(jié)合的均壓電路,通過仿真驗(yàn)證了基于驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步的均壓電路在IGBT串聯(lián)電路中能地使IGBT電壓均衡。同步變壓器將驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步,其響應(yīng)速度快,端電壓鉗位電路能夠使開關(guān)瞬態(tài)的過電壓≤10 %,防止了過電壓的發(fā)生,降低了串聯(lián)IGBT的電壓不均衡。故該方法能夠很好地使串入電路的IGBT均壓。


 

 

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